綜述 EM78F734N是采用低功耗高速CMOS和噪聲高抗干擾工藝設計開發(fā)的8位微控制器。其內部有一個4Kx13位 的片上電可擦除閃存和128x8位系統(tǒng)可編程EEPROM。它還提供3個保護位避免用戶的閃存程序被盜取。 具有增強的Flash-ROM特性的EM78F734N能夠為用戶提供開發(fā)和校驗程序的便利。另外，此Flash-ROM器 件為開發(fā)和編程工具提供了容易而有效的程序更新優(yōu)勢。用戶可以很容易的使用義隆燒錄器燒寫自己的開發(fā) 代碼。 2 特性 CPU 結構 K位閃存 0;8 位片上寄存器 (SRAM) 字節(jié)系統(tǒng)可編程EEPROM 級堆棧用于子程序嵌套 端口結構 組雙向 I/O 端口 喚醒端口:P6 個可編程下拉I/O引腳 個可編程上拉I/O引腳 個可編程漏極開路I/O引腳 外部中斷:P60 工作電壓范圍 V~5.5V時C ~C (工業(yè)級) V~5.5V時C ~C (商業(yè)級) 操作頻率范圍（基于2 個時鐘） RC偏移率(Vdd 3.3V) RC 偏移率(溫度: -10°C+40°C) 一個16 位定時器/計數(shù)器 TC1 : 定時器/計數(shù)器/捕獲 一個8 位定時器/計數(shù)器 TC3 : 定時器/計數(shù)器/PDO(可編程驅動輸 出)/PWM(脈寬調制) 內部 RC 頻率 漂移率 溫度 (-10°C+40°C) 制程 總計 455kHz ±1% ±1% ±2% 1 MHz ±1% ±1% ±2% 4 MHz ±1% ±1% ±2% 8 MHz ±1% ±1% ±2% 內部 RC 頻率 漂移率 電壓 (3.0~ .6V) 制程 總計 455kHz ±1% ±1% ±2% 1 MHz ±1% ±1% ±2% 4 MHz ±1% ±1% ±2% 8 MHz ±1% ±1% ±2% 個可用的中斷: 內部中斷: 4個 外部中斷: 4個 位精度8通道的模數(shù)轉換器 外設配置 位可選信號源、觸發(fā)沿和溢出中斷的實時時鐘 /計數(shù)器(TCC) 掉電 (休眠) 模式 級可編程電壓復位(LVR) (LVR):3.3V, 3.0V, 2.6V和 2.0V (POR) 個保護位防止閃存代碼被盜取 個配置寄存器以適應用戶的需求 每條指令兩個時鐘周期 高抗 EFT 特性 兩個副頻:128kHz和16kHz, 16kHz由128kHz分頻所得 單指令周期命令 振蕩模式中的5個晶振范圍 晶振范圍 振蕩模式 20 MHz ~ 12 MHz HXT2 12 MHz~6 MHz HXT1 6 MHz ~ 1 MHz XT 1MHz ~ 100kHz LXT 可編程的獨立運行看門狗定時器 封裝類型: 引腳 DIP 300mil : EM78F734ND16 引腳SOP 300mil : EM78F734NSO16 引腳SOP 150mil : EM78F734NSO16A 引腳SSOP 150mil : EM78F734NSS16 引腳DIP 300mil : EM78F734ND18 引腳SOP 300mil : EM78F734NSO18 引腳DIP 300 mil : EM78F734ND20 引腳SOP 300mil : EM78F734NSO20 引腳 SSOP 209mil : EM78F734NSS20 注: 綠色產(chǎn)品不含有害物質