IGBT參數(shù)測(cè)試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括I_GE / V_GE(th) / V_CEsat / V_F / I_CE / V_CE）；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性測(cè)試（HTRB / HTGB）。

二極管及可控硅/晶閘管（SCR）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括I_GT/V_GT / I_H / V_TM / V_D/I_D / V_R/I_R / dv/dt / I_L ）；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌參數(shù)測(cè)試I_TSM；di/dt測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試Rth。

產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠(chǎng)商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠(chǎng)商及高校研究所等。