產(chǎn)品

碳化硅模塊包括碳化硅MOSFET和碳化硅二極管。升壓模塊應(yīng)用于DC-DC級(jí)太陽(yáng)能逆變器。這些模塊使用碳化硅MOSFET和碳化硅二極管，額定電壓1200V。

完整的碳化硅端到端供應(yīng)鏈

我們內(nèi)部具有從襯底組裝到封裝的完整供應(yīng)鏈條，保障對(duì)客戶(hù)的碳化硅器件供應(yīng)，支持可持續(xù)生態(tài)系統(tǒng)的迅速增長(zhǎng)。

質(zhì)量和可靠性

安森美保證EliteSiC碳化硅產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性

碳化硅已并非全新的陌生材料，但是行業(yè)積累的生產(chǎn)數(shù)據(jù)仍不及硅的數(shù)據(jù)充分完整。我們對(duì)碳化硅產(chǎn)品實(shí)施質(zhì)量和可靠性測(cè)試程序，確保我們能向客戶(hù)交付高質(zhì)量、高可靠性的碳化硅產(chǎn)品。

碳化硅端到端生產(chǎn)能力，助力可持續(xù)未來(lái)

我們端到端的生產(chǎn)能力有助于推動(dòng)可持續(xù)未來(lái)。安森美（onsemi）EliteSiC系列碳化硅產(chǎn)品，以及端到端的碳化硅生產(chǎn)能力，為您提供具備出色性能和堅(jiān)實(shí)品質(zhì)的產(chǎn)品。

碳化硅是由美國(guó)人艾奇遜在1891年電熔金剛石實(shí)驗(yàn)時(shí)，在實(shí)驗(yàn)室偶然發(fā)現(xiàn)的一種碳化物，當(dāng)時(shí)誤認(rèn)為是金剛石的混合體，故取名金剛砂，1893年艾奇遜研究出來(lái)了工業(yè)冶煉碳化硅的方法，也就是大家常說(shuō)的艾奇遜爐，一直沿用至今，以碳質(zhì)材料為爐芯體的電阻爐，通電加熱石英SiO2和碳的混合物生成碳化硅。

關(guān)于碳化硅的幾個(gè)事件

1905年 第一次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅。

1907年 第一只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生。

1955年 理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。

1958年 在波士頓召開(kāi)第一次世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。

1978年 六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年首次采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長(zhǎng)方法。

1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開(kāi)始提供商品化的碳化硅基。