XTR2N0800
• 超過-60°C至+230°C溫度范圍的操作。
• 最小BVDSS=-40V。
• 允許的VGS范圍–5.5 V至+5.5 V。
• 低RDS（on） XTR2N0525:2.3Ω@230°C
XTR2N0550:1.1Ω@230°C
• 最*峰值ID： XTR2N0525:5.3a@230°C
XTR2N0550:11.7A@230°C
• 按時（td（on）+tr）：XTR2N0525:26NSEC@230°C
XTR2N0550:31NSEC@230°C
• 關(guān)閉時間（td（關(guān)閉）+tf）：XTR2N0525:76NSEC@230°C
XTR2N0550:91NSEC@230°C
• 加固3-lead至257，8-lead側(cè)焊浸，8-lead SOIC，帶EPAD。
• 也可作為測試裸模。
