概述：
N溝道功率MOSFET——RU3040M3，采用DFN3333封裝，其漏源電壓VDSS為30V，柵源電壓VGSS為±20V，連續(xù)漏極電流ID為40A（安裝于大型散熱片上，VGS=10V，TC=25℃），存儲(chǔ)溫度范圍為-55℃~+150℃，漏源導(dǎo)通電阻的典型值為5mΩ（VGS=10V, IDS=25A），總柵極電荷Qg的典型值為15nC（VDS=24V，VGS=10V，IDS=25A）。該器件經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試 ，可提供無(wú)鉛和綠色環(huán)保器件，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可用于服務(wù)器的板載電源和同步整流等。
產(chǎn)品特點(diǎn)
• 30V/40A
• RDS (ON) =5mΩ(典型值)@VGS=10V
• RDS (ON) =6.5mΩ(典型值)@VGS=4.5V
• 超高密度單元設(shè)計(jì)
• 切換速度快
• 低柵極電荷
• 100%雪崩測(cè)試
• 提供無(wú)鉛和綠色環(huán)保器件（符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)）
產(chǎn)品應(yīng)用
• 開(kāi)關(guān)應(yīng)用系統(tǒng)
• 服務(wù)器的板載電源
• 同步整流
