CJAB3R9SN04C N通道MOSFET功率描述

N 通道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用 SGT 技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)已經(jīng)特別定制，以最小化導(dǎo)通狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，并承受雪崩和換向模式下的高能脈沖。FEATURES 電池開(kāi)關(guān)負(fù)載開(kāi)關(guān)用于超低 RDS (ON)的高密度電池設(shè)計(jì)具有完全特性的雪崩電壓和電流用于良好散熱的優(yōu)秀封裝應(yīng)用開(kāi)關(guān)和通用應(yīng)用硬開(kāi)關(guān)和高頻電路不間斷電源。