描述 N 通道增強型功率場效應晶體管采用 SGT 技術。這種先進的技術特別適用于最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關性能，以及在雪崩和換向模式下抵抗高能脈沖。這些器件非常適合于高效率的快速切換應用超低 RDS (上)優(yōu)越的熱阻優(yōu)異的可靠性和均勻性電機驅動器 BMS
參數
排泄源電壓 VDS 40
VGate-Source 電壓 VGS ± 20 V
連續(xù)排泄電流 ID200脈沖排泄電流 IDM600單脈沖雪崩能量 EAS760mJ
CJAC200SN04U低RDS局部放電充器變換器
- 發(fā)布時間：2024-07-18 10:38:49,加入時間:2023年10月26日(距今850天)
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