CJ4459結合了先進的溝道 MOSFET 技術和低電阻封裝，提供極低的 RDS (ON)。該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。
參數(shù)符號值單排水源電壓 VDS-30 VGate-Source 電壓 VGS ± 20 V 連續(xù)排水源電流 ID-5.0 APulsed 排水電流(注1) IDM-30 APulsed 排水電流(注2) PD 0.35 WW 熱阻(t ≤10s)(注2) RθJA 357 ° C/WOperation 結和存儲溫度范圍 TJ，TSTG -55 ~ 150 ° C
