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Heraeus代賀利氏單體Clevios MV2

20多年來(lái),市場(chǎng)對(duì)于低等效串聯(lián)電阻(ESR)的需求推動(dòng)鉭電容器和鋁電容器應(yīng)用不斷發(fā)展。傳統(tǒng)的電解電容器已經(jīng)無(wú)法滿足主板等現(xiàn)代電子電路的要求。

借助Clevios™導(dǎo)電聚合物,電容器生產(chǎn)商便能抓住低ESR的市場(chǎng)機(jī)遇。如今,憑借優(yōu)異的導(dǎo)電性和溫度穩(wěn)定性,這種導(dǎo)電聚合物聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(亦稱為PEDOT)在電容器行業(yè)被廣泛用于制造聚合物鉭電容器和鋁電容器。

然而,聚合物電容器僅適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品,這主要是因?yàn)榇祟愲娙萜鞑痪邆涓唠妷耗芰,并且可靠性較低、直流漏電流值(DCL)相對(duì)較高。

賀利氏開(kāi)發(fā)的Clevios K™聚合物分散體成功克服了聚合物電容器的這些局限性,F(xiàn)在,終于可以生產(chǎn)具備高電壓、低DCL和高可靠性的聚合物電容器了。同時(shí),這種聚合物電容器額定電壓的上限已從25 V提升到400 V。結(jié)合較低的DCL值,全新的聚合物電容器已經(jīng)可以用于汽車等對(duì)可靠性要求較高的應(yīng)用。如今,聚合物電容器甚至進(jìn)入航空航天領(lǐng)域,這在此前是無(wú)法想象的。憑借低ESR和高紋波電流能力,通過(guò)較小的電容器,或者使用一個(gè)聚合物電容器來(lái)替換大量的大尺寸電解電容器,便能有效縮小電子電路的尺寸。

這項(xiàng)賦予電容器高電壓、低DCL和高可靠性的技術(shù)是通過(guò)賀利氏專為電容器應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的新型導(dǎo)電聚合物來(lái)實(shí)現(xiàn)的。導(dǎo)電聚合物在聚合物電容器中充當(dāng)陰極材料:首先對(duì)多孔鋁電極或鉭電極進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理,形成電介質(zhì)層,然后再沉積導(dǎo)電聚合物薄膜。而在此之前的很長(zhǎng)一段時(shí)間,必須使用化學(xué)原位聚合法才能得到這種導(dǎo)電聚合物陰極薄膜:將導(dǎo)電聚合物的前驅(qū)體——單體(Clevios™ M V2)和氧化物(Clevios™ C)——導(dǎo)入多孔電容器主體中,在電容器內(nèi)部通過(guò)化學(xué)反應(yīng)形成陰極。有了Clevios K™導(dǎo)電聚合物分散體,導(dǎo)電聚合物無(wú)需任何化學(xué)原位反應(yīng)便能直接沉積。因此,這不僅提高了電容器的性能和可靠性,同時(shí)還能顯著簡(jiǎn)化電容器的生產(chǎn)工藝。

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