該 SST39VF640xB 設(shè)備是4M x16 CMOS 多功能閃存 + (MPF +) ，采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash 技術(shù)制造。與其他方法相比，分裂柵單元設(shè)計(jì)和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF640xB 寫(程序或刪除)與2.7-3.6 V 電源。這些設(shè)備符合 JEDEC 針對(duì) x16存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)引腳分配。SST39VF640xB 設(shè)備具有高性能 Word 程序，提供典型的7微秒 Word 程序。這些設(shè)備使用切換位或數(shù)據(jù) # 輪詢來指示程序操作的完成。為了防止意外寫入，他們有片上硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)方案。設(shè)計(jì)，制造和測(cè)試的應(yīng)用范圍廣泛，這些設(shè)備提供了一個(gè)有保證的典型耐久性100,000周期。數(shù)據(jù)保存期超過100年。SST39VF640xB 設(shè)備適用于需要方便和經(jīng)濟(jì)的程序更新的應(yīng)用,配置，或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。對(duì)于所有系統(tǒng)應(yīng)用程序，它們顯著提高了性能和可靠性，同時(shí)降低了功耗。與替代閃存技術(shù)相比，它們?cè)诓脸�和編程過程中固有地使用更少的能源。總能量消耗是施加電壓、電流和施加時(shí)間的函數(shù)。由于任何給定的電壓范圍，超級(jí)閃存技術(shù)使用較少的電流來編程，并有較短的擦除時(shí)間，總能耗在任何擦除或程序操作是少于替代閃存技術(shù)。這些設(shè)備還提高了靈活性，同時(shí)降低了程序、數(shù)據(jù)和配置存儲(chǔ)應(yīng)用程序的成本。SuperFlash 技術(shù)提供固定的擦除和編程時(shí)間，與已經(jīng)發(fā)生的擦除/編程周期的數(shù)量無關(guān)。因此，系統(tǒng)軟件或硬件不需要根據(jù)替代閃存技術(shù)的需要進(jìn)行修改或降級(jí)，因?yàn)殚W存技術(shù)的擦除和程序時(shí)間隨著積累的擦除/程序周期而增加。為了滿足高密度、表面安裝的要求，SST39VF640xB 設(shè)備采用48導(dǎo)線 TSOP 和48球 TFBGA 封裝。請(qǐng)參見圖1和圖2中的小型作業(yè)。