介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究
技術(shù)指標(biāo)
信號(hào)源DDS信號(hào)
頻率范圍10KHz-70MHz
10KHz-100MHz
100KHz-160MHz
Q值測量范圍2～1023
Q值量程分檔30、100、300、1000、
自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔
電感測量范圍4.5nH-10mH 160M：1nH-140mH
電容直接測量范圍
1～460pF 160M:1pF-25uF
主電容調(diào)節(jié)范圍
30～540pF 160M:17-240pF
電容準(zhǔn)確度
150pF以下±1.5pF；150pF以上±1%
型號(hào)頻率指示誤差
1*10-6 ±1
Q值合格指示預(yù)置功能范圍
5～1000
Q值自動(dòng)鎖定，無需人工搜索
Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃
b．相對濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
10．其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c. 外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。
11．產(chǎn)品配置：
a.測試主機(jī)一臺(tái)；
b.電感一套；
C.夾具一 套
性能特點(diǎn)：
1. 平板電容器 極片尺寸：φ25.4mm\φ50mm 極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，±0.01mm
2. 園筒電容器 電容量線性：0.33pF / mm±0.05 pF長度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm
3. 夾具插頭間距：25mm±1mm
4. 夾角損耗角正切值：≤4×10－4（1MHz時(shí)）
5、數(shù)顯電極
測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法GB/T1409-2006
前言
本標(biāo)準(zhǔn)修改采用IEC60250:1969《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法》(英文版)。
本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)IEC 60250;1969重新起草，在附錄B中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條編號(hào)與IEC 60250:1969章條編號(hào)的對照一覽表。
考慮到我國國情,在采用IEC 60250:1969時(shí),本標(biāo)準(zhǔn)做了一些修改，有關(guān)技術(shù)性差異已編人正文中并在它們所涉及的條款的頁邊空白處用垂直單線標(biāo)識(shí),
為便于使用,本標(biāo)準(zhǔn)做了下列編輯性修改:
a)刪除國際標(biāo)準(zhǔn)的日次和前言;
b)用小數(shù)點(diǎn)“.”代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)*，”;
c)引用的IEC 60247,由“Measurement of relative permittivity, dielectric dissipation factor andd. c. resistivity of insulating liquids”即"液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量"代替“Recommended Test cells for Measuring the Resistivity of Insulating Liquidsand Methods of cleaning the cells"即"測量絕緣液體電阻率的試驗(yàn)池及清洗試驗(yàn)池的方法”;
d)用“e,”代替"ε.'”;
e)增加了“術(shù)語”;
f)增加公式中符號(hào)說明
g)圖按GB/T1.1-2000標(biāo)注。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T 1409-1988的相比,主要變化如下:
1)增加"規(guī)范性引用文件"(本標(biāo)準(zhǔn)第2章);
2)增加“電介質(zhì)用途”(本標(biāo)準(zhǔn)4.1);
3)刪去導(dǎo)電橡皮;
4)增加“石墨”(本標(biāo)準(zhǔn)5.1.3);
5)增加“液體絕緣材料”(本標(biāo)準(zhǔn)5.2)。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 1409-1988(固體絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波長在內(nèi))下相對介電常數(shù)和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗(yàn)方法》。
測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法
范圍
標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15 Hz~300 MHz的頻率范圍內(nèi)測量電容率,介質(zhì)損耗因數(shù)的方法,并由此計(jì)算某些數(shù)值，如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法,也能用于其他頻率下測量。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量液體、易熔材料以及固體材料。測試結(jié)果與某些物理?xiàng)l件有關(guān),例如頻率、溫度、濕度,在特殊情況下也與電場強(qiáng)度有關(guān)。
有時(shí)在超過1000V的電壓下試驗(yàn),則會(huì)引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無關(guān)的效應(yīng),對此不予論述。
2 規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件,其版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)，
IEC 60247:1978液體絕緣材料相對電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測量
3術(shù)語和定義
3.1
下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
相對電容率relative permittivity
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時(shí),其電容Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容C之比
-**(1)
式中:
,一-相對電容率;
C一充有絕緣材料時(shí)電容器的電極電容:
C.真空中電容器的電極電容。
在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下,不含二氧化碳的干燥空氣的相對電容率e,等于1.000 53。因此,用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容C.來代替C。測量相對電容率ε,時(shí),也有足夠的精確度。
在一個(gè)測量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率e,與真空電氣常數(shù)。的乘積。
在SI制中,絕對電容率用法/米(F/m)表示。而且,在SI單位中,電氣常e為;£。 8.854 x10'F/m;36*x10F/m在本標(biāo)準(zhǔn)中,用皮法和厘米來計(jì)算電容,真空電氣常數(shù)為:
3.2
介質(zhì)損耗角dielectric loss angle
由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。
3.3
介質(zhì)損耗因數(shù)”dielectric dissipation factortand
損耗角ð的正切。
3.4
[介質(zhì)]損耗指數(shù)[dielectric]loss index
3.5
該材料的損耗因數(shù)tan8與相對電容率e，的乘積，復(fù)相對電容率complex relative permittivity
5由相對電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的:4電氣絕緣材料的性能和用途
4.1電介質(zhì)的用途
電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:
用作電氣回路元件的支撐,并且使元件對地絕緣及元件之間相互絕緣:
用作電容器介質(zhì),
4.2影響介電性能的因素
下面分別討論頻豐、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對介電性能的影響。
4.2.1頻率
因?yàn)橹挥猩贁?shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的e,和tanð幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,最重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
4.2.2溫度
損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)攢耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)值位置。
4.2.3濕度
極化的程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是必不可少的。
注:濕度的顯著影響常言發(fā)生在1MHz以下及微波棚率范圍內(nèi)。
4.2.4電場強(qiáng)度
存在界面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大面增加,其損耗指數(shù)值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)，
