碳化硅拋光液簡(jiǎn)介

碳化硅拋光液 MYH-SCPS500 是第三代半導(dǎo)體碳化硅材料加工的核心精密拋光耗材，通過化學(xué)機(jī)械協(xié)同拋光，實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片 / 器件表面原子級(jí)平坦化，精準(zhǔn)控制表面粗糙度與面型精度，消除加工損傷層，保障碳化硅基器件在光電、半導(dǎo)體領(lǐng)域的高性能應(yīng)用。

超凈拋光（行業(yè)術(shù)語）：通過化學(xué)腐蝕 + 機(jī)械研磨雙重作用，去除碳化硅加工產(chǎn)生的刀紋、變質(zhì)層及亞表面損傷，將表面粗糙度控制在納米 / 原子級(jí)（Ra≤0.1nm），實(shí)現(xiàn)：

1. 低缺陷制備，提升器件成品率；

2. 保證襯底外延生長(zhǎng)均勻性，夯實(shí)芯片制造基礎(chǔ)；

3. 優(yōu)化器件表面性能，提升耐磨性、密封性與光電傳輸效率。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 磨料精準(zhǔn)：磨料，粒徑分布窄，原子級(jí)去除，無深層劃痕與亞表面損傷；

2. 高效協(xié)同：化學(xué)腐蝕與機(jī)械切削精準(zhǔn)配比，拋光效率提升 30% 以上；

3. 懸浮穩(wěn)定：特殊分散體系，久置不分層不團(tuán)聚，拋光面型一致性≤5nm；

4. 環(huán)保易清：水性體系，無有害殘留，純水可快速?zèng)_凈，無二次污染；

5. 適配性強(qiáng)：兼容各類碳化硅制品，適配單面 / 雙面拋光機(jī)、CMP 拋光設(shè)備等主流設(shè)備；

6. 面型可控：拋光后無翹曲、塌邊，精準(zhǔn)把控 TTV、Bow、Warp 等面型參數(shù)。

應(yīng)用范圍

核心用于碳化硅材料粗拋、精拋及超精密拋光，消除加工損傷、實(shí)現(xiàn)原子級(jí)平坦化，適用于：

·  碳化硅晶片：4H/6H-SiC 單晶襯底、外延片及 2/4/6/8 寸晶圓片粗磨，晶片減薄后表面粗磨修復(fù)；

·  碳化硅器件：功率 / 射頻器件、光電探測(cè)器 / 激光器、MEMS 傳感器芯片的碳化硅基底粗磨；

·  碳化硅結(jié)構(gòu)件：工業(yè)耐磨件、航空航天耐高溫件、光學(xué)儀器元件的粗磨成型；

·  其他硬脆材料：藍(lán)寶石、氮化鎵晶片，石英玻璃、氧化鋯陶瓷及半導(dǎo)體設(shè)備精密陶瓷部件粗磨預(yù)處理。

常見類型

1. 專用粗拋液：切削力強(qiáng)，快速去除加工損傷層，材料去除速率 0.8-1.2μm/min；

2. 專用精拋液：磨料更細(xì)，實(shí)現(xiàn) Ra≤0.1nm 超鏡面拋光，無亞表面損傷；

3. 二合一拋光液：集成粗拋 + 精拋功能，簡(jiǎn)化流程，加工效率提升 50%。

儲(chǔ)存與使用

1. 溫度：5℃~30℃，防凍（<0℃體系失效、磨料團(tuán)聚）、防高溫（>30℃組分變質(zhì)），遠(yuǎn)離明火熱源；

2. 儲(chǔ)存：密封存放于干燥通風(fēng)處，避免陽光直射，開封后盡快使用；

3. 使用：使用前充分?jǐn)嚢杈鶆�，可按需稀釋，搭配專用拋光墊，拋光后立即用純水沖洗工件。