綜述
EM78P153K替代料EM79F703KSO14J 是采用低功耗高速CMOS 工藝設(shè)計開發(fā)的8 位微控制器。它的內(nèi)部有一個1K×13 位
一次性可編程只讀存儲器(OTP-ROM)。它提供1 個保護位用于防止用戶在OTP-ROM 中的程序被
讀取，同時擁有15 個代碼選項位以滿足用戶的需要。
利用其增強的OTP-ROM 特性，EM78P153K 可使用戶方便的開發(fā)和校驗程序，另外，利用開發(fā)
和編程工具，此OTP 提供了容易而有效的程序更新優(yōu)勢。用戶可以使用義隆燒錄器容易的燒寫自
己的開發(fā)代碼。
2 產(chǎn)品特性
&#; CPU 配置
• 1K×13 位片內(nèi) ROM
• 32×8 位片內(nèi)寄存器(SRAM, 通用寄存器)
• 5 級推棧用于子程序嵌套
• 電流小于 1.5 mA @5V / 4 MHz
• 典型值 15 μA @3V / 32kHz
• 典型值 1 μA@休眠模式
&#; I/O 端口配置
• 2 組雙向I/O 端口: P5, P6
• 12 個IO 引腳
• 喚醒端口: P6
• 6 個可編程下拉I/O 引腳
• 7 個可編程上拉I/O 引腳
• 7 個可編程開漏極I/O 引腳
• 外部中斷: P60
&#; 工作電壓范圍
• 工作電壓: 2.1V~5.5V @ 0°C ~70°C (商業(yè)級)
• 工作電壓: 2.3V~5.5V@ -40°C ~85°C (工業(yè)級)
&#; 工作頻率范圍(基于2 個時鐘周期)
• IRC 模式:
偏移率
IRC 頻率溫度
(-40~85°C) 電壓制程 總計
4 MHz ± 1% ± 3% @ 2.1~5.5V ± 2% ± 6%
16 MHz ± 1% ± 1% @ 4.0~5.5V ± 2% ± 4%
8 MHz ± 1% ± 2% @ 3.0~5.5V ± 2% ± 5%
1 MHz ± 1% ± 3% @ 2.1~5.5V ± 2% ± 6%
• 晶振模式:
DC~20 MHz / 2clks @ 5V
DC~8 MHz / 2clks @ 3V
DC~4 MHz / 2clks @ 2.1V
• ERC 模式:
DC~2 MHz / 2clks @ 2.1V
&#; 外圍配置
• 8 位實時時鐘/計數(shù)器（TCC），可編程選擇其信號源、觸
發(fā)邊沿，溢出產(chǎn)生中斷
• 上電復(fù)位和3 個可編程的復(fù)位電壓
上電復(fù)位電壓：1.8V(默認)，LVR:4.0V,3.5V 和2.7V
• 代碼選項可供選擇每條指令占用周期數(shù):2 或4 個時鐘周
期
• 高抗 EFT
&#; 3 個可用中斷源:
• TCC 溢出中斷
• 輸入端口狀態(tài)改變中斷(從休眠模式喚醒)
• 外部中斷
&#; 特殊功能：
• 可編程自由運行的看門狗定時器
• 休眠省電模式
• 可選擇振動模式
• 可編程振蕩器起振時間的預(yù)分頻
&#; 封裝類型
• 14-引腳 DIP 300mil : EM78P153KD14J
• 14-引腳 SOP 150mil: EM78P153KSO14J
• 10-引腳 SSOP 150mil: EM78P153KSS10J
• 10-引腳 SSOP 150mil: EM78P153KASS10J
注: 綠色產(chǎn)品不包含有害物質(zhì).
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