一、半導體清洗用超純水設(shè)備概述

半導體清洗用超純水設(shè)備主要應(yīng)用在半導體清洗行業(yè)，該設(shè)備采用先進的反滲透技術(shù)和ED1技術(shù)，保證設(shè)備的質(zhì)量和出水水質(zhì)。該設(shè)備整體采用先進的不銹鋼材質(zhì)，抗腐蝕能力強，同時也不會出現(xiàn)生銹問題，質(zhì)量可靠，受到用戶的一致好評。

二、半導體清洗用超純水設(shè)備工作原理

EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰、陽離子交換膜之間形成EDI單元，EDI工作原理如下圖所示，EDI組件中將一定數(shù)量的EDI單元間用網(wǎng)狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設(shè)置陰、陽電極。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室面在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統(tǒng)，成為濃水，ED1設(shè)備一般以反滲透（RO)純水作為EDI給水．RO純水電導率一般是40-2μ S、cm(25℃).

EDI純水電阻率可以高達18MQ.cm(25℃),但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設(shè)置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18. 2MΩ.cm(25℃)的純水。