概述
PL60N02D采用先進的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設(shè)備適用于用作電池保護或其他開關(guān)應用程序。
PL60N02D N溝道MOSFET場效應管
- 發(fā)布時間：2023-11-15 15:50:19,加入時間:2023年08月01日(距今875天)
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