該設(shè)備用于納米級(jí)單層或多層膜、類金剛石薄膜、金屬膜、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜和非導(dǎo)電膜等功能薄膜的制備，可實(shí)現(xiàn)共濺射，直流、射頻兼容，特別適于科研院所和企業(yè)進(jìn)行功能薄膜研發(fā)、教學(xué)和新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，同時(shí)可在微米級(jí)粉末或顆粒上沉積薄膜進(jìn)而達(dá)到表面改性的功能。是替代鐘罩式磁控濺射的理想選擇。

主體結(jié)構(gòu)。全封閉框架結(jié)構(gòu)，機(jī)柜和主機(jī)為一體式機(jī)構(gòu)。

極限真空度。≤６.６３×10－5Pa，壓升率優(yōu)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。   
真空配置。高速直聯(lián)旋片泵一臺(tái)，配置尾氣處理裝置，超高分子泵一臺(tái)。
真空測(cè)量。兩路電阻規(guī)，一路電離規(guī)；電阻規(guī)和電離規(guī)均采用防爆型金屬封結(jié)真空規(guī)。
工件架系統(tǒng)。行星工件盤(pán)與公轉(zhuǎn)工件盤(pán)可選，垂直濺射與共濺射兼容，可配置１個(gè)加熱臺(tái)，采用PID控制可烘烤加熱到700℃。
磁控濺射系統(tǒng)。配置３個(gè)Φ50mm可折疊磁控靶（可擴(kuò)展至4靶機(jī)構(gòu)），向上濺射成膜；靶基距可調(diào)；靶內(nèi)均通入冷卻水冷卻。
電源 。2套直流電源；1套全固態(tài)射頻電源；；一套200W直流偏壓電源。
充氣系統(tǒng)。配置三路供氣，二路分別配置質(zhì)量流量控制器，線性±0.5 % F.S，重復(fù)精度±0.2% F.S，0-5V輸出，在觸摸屏上設(shè)置流量。
電氣控制系統(tǒng)。采用功能化模塊設(shè)計(jì)，匹配西門(mén)子人機(jī)界面+西門(mén)子控制單元，濺射時(shí)間可以設(shè)定并倒計(jì)時(shí)，能夠根據(jù)工藝需求自動(dòng)濺射。
特別說(shuō)明：根據(jù)用戶不同的工況和工藝要求，公司愿與客戶聯(lián)合研發(fā)，共享知識(shí)產(chǎn)權(quán)，公司致力于工藝與設(shè)備的完美匹配