碳化硅是一種高性能的陶瓷和半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的熱力學(xué)和電化熱性能。隨著生產(chǎn)成本的降低，第一、二代的半導(dǎo)體正逐步被碳化硅取代。目前，碳化硅是發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體原料。

因為碳與硅的化學(xué)鍵能很大，所以它們初始先形成非晶型碳化硅。但隨著碳化溫度的提高，當(dāng)溫度達到1500度左右時它們可以轉(zhuǎn)化成β型碳化硅，當(dāng)碳化溫度達到2000度以上時，β型碳化硅就可以轉(zhuǎn)化為生長單晶所需的α晶型碳化硅。所以這種合成的高純碳化硅前驅(qū)體可以取代國內(nèi)普遍采用的固相自蔓延合成法使用的高純碳粉和高純硅粉，它不但降低了碳化硅粉的合成成本，而且由這種前驅(qū)體合成出來的高純碳化硅粉生長碳化硅單晶時缺陷少，單晶爐坩堝中的剩余殘渣也會明顯減少。所以它是合成半絕緣型碳化硅晶體最理想的原料，當(dāng)然它也可以生產(chǎn)導(dǎo)電型碳化硅晶體。

山東源林生產(chǎn)的碳化硅材料外觀呈粉末狀，與目前通用的固相自蔓延合成碳化硅粉比較，具有成本低、純度高（純度高達99.9%）等特點，特別適用于半導(dǎo)體原料及科研實驗，可根據(jù)客戶需求定制。