一、核心優(yōu)勢：高效、集成、靈活

1、高效率設(shè)計

寬開關(guān)頻率范圍：支持自適應(yīng)頻率調(diào)節(jié)，輕載時降低頻率以減少開關(guān)損耗，滿載時優(yōu)化頻率以降低器件溫度，提升全負載范圍效率。

谷底導通技術(shù)：內(nèi)置谷底檢測電路，在準諧振（QR）模式下實現(xiàn)軟開關(guān)，進一步降低開關(guān)損耗。

頻率折返技術(shù)：結(jié)合固定頻率調(diào)制，減少 EMI 輻射的同時保持高效率。

2、高集成度

內(nèi)置高壓 MOSFET：減少外部元件數(shù)量，降低 BOM 成本，簡化 PCB 設(shè)計，提升系統(tǒng)可靠性。

內(nèi)置抖頻電路：無需外部元件即可降低 EMI，簡化濾波設(shè)計，節(jié)省空間。

優(yōu)化變壓器設(shè)計：結(jié)合芯片特性提供變壓器參數(shù)建議，減少漏感與分布電容，提升能效。

3、靈活的工作模式

準諧振（QR）模式：中等負載下實現(xiàn)高效軟開關(guān)，適用于手機、平板充電器。

強制開啟與鎖谷底模式：極輕載或空載時強制開啟 MOSFET，配合突發(fā)模式降低待機功耗；鎖谷底模式在特定負載下優(yōu)化效率與噪聲平衡。

突發(fā)模式（Burst Mode）：輕載或空載時工作電流僅 250µA，滿足 CoC V5 和 DoE VI 能效標準。

二、保護功能：全方位安全保障

1、電壓保護

輸出過壓保護（VS_OVP）：快速響應(yīng)輸出電壓異常，防止損壞設(shè)備。

輸出欠壓保護（VS_UVP）：避免低電壓導致的性能下降或數(shù)據(jù)丟失。

VDD 過壓保護（VDD_OVP）：保護芯片供電電路，防止高壓損壞。

Brown-in/Brown-out：防止輸入電壓跌落或恢復(fù)時的異常啟動。

2、溫度保護

過溫保護（OTP）：內(nèi)置溫度傳感器，當芯片溫度超過閾值時自動降頻或關(guān)斷，防止過熱失效。

可配置 OTP 閾值：用戶可根據(jù)應(yīng)用場景調(diào)整過溫保護觸發(fā)點。

3、功率保護

過功率保護（OLP）：限制輸出功率，防止過載或短路導致的器件損壞。

精確恒流輸出（CC）：支持輸入電壓補償，適用于電池充電器或 LED 驅(qū)動。

三、定制化配置：滿足多樣化需求

1、頻率與保護閾值可調(diào)

頻率（fBNK_MAX）：通過外部電阻或引腳配置，優(yōu)化效率與 EMI 平衡。

輸出過壓/欠壓保護閾值（VVS_OVP/VVS_UVP）：根據(jù)應(yīng)用需求調(diào)整保護點。

VDD 過壓保護閾值（VVDD_OVP）：保護芯片供電電路安全。

2、模式選擇與補償

工作模式切換：通過引腳配置選擇 QR 模式或強制開啟模式。

輸入電壓補償：支持 CC 模式下的輸入電壓補償，提升恒流精度。

四、應(yīng)用場景：覆蓋主流快充與電源市場

1、手機、電腦適配器

支持 20W-65W 快充，兼容 PD、QC 等協(xié)議，滿足小體積、高功率密度需求。

突發(fā)模式降低待機功耗，滿足 CoC V5 和 DoE VI 標準。

2、高功率密度快速充電器

結(jié)合 GaN 器件，實現(xiàn) 100W 以上多口充電器設(shè)計（如 65W+65W 雙 C 口方案）。

高集成度減少 PCB 面積，提升功率密度。

3、高能效反激式輔助電源

適用于服務(wù)器、工業(yè)設(shè)備等輔助電源，提升系統(tǒng)整體能效。

寬輸入電壓范圍（如 90-264Vac）適應(yīng)不同地區(qū)電網(wǎng)標準。

五、封裝與能效標準

1、DASOP-8 封裝

小型化設(shè)計（如 3mm×3mm），適合高功率密度適配器。

散熱性能優(yōu)化，降低熱阻，提升可靠性。

2、能效標準合規(guī)

滿足 CoC V5 和 DoE VI 等嚴苛標準，加速產(chǎn)品國際化認證。

輕載效率提升 10%+，滿載效率≥92%，待機功耗＜30mW。