一般說(shuō)明
PL60N02D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設(shè)備適用于用作電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用程序。
一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V
應(yīng)用
蓄電池保護(hù)
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
不間斷電源
PL60N02D 20VN通道增強(qiáng)模式MOSFET
- 發(fā)布時(shí)間：2025-04-21 16:27:30,加入時(shí)間:2023年08月01日(距今935天)
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