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硅片、磷化銦芯片拋光用達(dá)西濃氧化鋁拋光液AL30

  • 發(fā)布時間:2025-12-11 10:30:22,加入時間:2025年01月17日(距今339天)
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達(dá)西濃自主生產(chǎn)的半導(dǎo)體精密拋光用氧化鋁拋光液 AL30 憑借其獨(dú)特的成分設(shè)計(jì)和性能優(yōu)勢,成為半導(dǎo)體拋光領(lǐng)域的優(yōu)質(zhì)選擇,能滿足硅片、磷化銦芯片等半導(dǎo)體基材的高精度拋光需求。其應(yīng)用優(yōu)勢主要體現(xiàn)在拋光效率、拋光質(zhì)量、工藝適配性、環(huán)保安全等多個維度,具體如下:

拋光效率優(yōu)勢

磨料切削能力強(qiáng):達(dá)西濃氧化鋁拋光液AL30 以 α 相納米氧化鋁為核心磨料,莫氏硬度達(dá) 8-9 級,遠(yuǎn)高于二氧化硅等磨料,能提供強(qiáng)勁的機(jī)械研磨作用,可快速去除半導(dǎo)體基材表面及亞表面的損傷層,大幅提升材料去除速率。同時,氧化鋁顆粒磨損極小,長期拋光作業(yè)中能保持穩(wěn)定切削效果,減少磨料更換頻率。

化學(xué)機(jī)械協(xié)同作用:配方中添加強(qiáng)氧化性成分,拋光時可在基材表面形成柔軟氧化膜,降低磨料去除雜質(zhì)所需的機(jī)械作用力,實(shí)現(xiàn)化學(xué)與機(jī)械拋光的協(xié)同增效,進(jìn)一步提升拋光效率。

拋光質(zhì)量優(yōu)勢

粒徑均勻且分散性好:達(dá)西濃氧化鋁拋光液AL30的氧化鋁顆粒粒徑多為 100-200nm,粒徑分布均勻,不易團(tuán)聚,能避免拋光過程中產(chǎn)生劃痕,滿足平整度要求。

無殘留且表面潔凈:達(dá)西濃氧化鋁拋光液AL30 的化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng),不會與半導(dǎo)體基材發(fā)生化學(xué)反應(yīng),也不會在表面形成吸附層,拋光后通過超聲清洗即可去除殘留雜質(zhì),保障基材表面潔凈度,為后續(xù)光刻、蝕刻等工藝奠定良好基礎(chǔ)。

工藝適配性優(yōu)勢

懸浮性好且作業(yè)穩(wěn)定:達(dá)西濃氧化鋁拋光液AL30 為乳白色液體,氧化鋁顆粒懸浮性佳,不易沉淀,適配自動化拋光設(shè)備的連續(xù)作業(yè),無需頻繁攪拌,能減少工藝中斷時間,保障生產(chǎn)流程的連續(xù)性。

高溫穩(wěn)定性佳:即便在高溫拋光工藝中,AL30 仍能保持性能穩(wěn)定,不會因溫度變化導(dǎo)致磨料團(tuán)聚或化學(xué)組分失效,可適配半導(dǎo)體制造中多種溫度條件下的拋光作業(yè)。

通用性強(qiáng):除硅片、磷化銦芯片外,AL30 還適用于碳化硅晶圓、LED 藍(lán)寶石襯底等多種半導(dǎo)體基材的拋光,能滿足不同半導(dǎo)體器件的拋光需求,降低企業(yè)更換拋光材料的成本。

(支持免費(fèi)試樣及定制化打樣生產(chǎn))

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