達(dá)西濃納米氧化鋁拋光液 AL30 在半導(dǎo)體拋光中，以材料端的納米級(jí)粒徑精準(zhǔn)可控、化學(xué) - 機(jī)械協(xié)同拋光、高穩(wěn)定性與低缺陷為核心優(yōu)勢(shì)，對(duì)比國(guó)外同類產(chǎn)品還具備自主可控、性價(jià)比與服務(wù)響應(yīng)快的突出價(jià)值，適合 12 寸及以下晶圓、先進(jìn)封裝與化合物半導(dǎo)體等場(chǎng)景。

一、材料本身的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

磨料性能精準(zhǔn)可控

選用α 相納米氧化鋁（莫氏硬度 9），粒徑 100nm 且分布窄（CV≤15%），類球形形貌降低劃痕風(fēng)險(xiǎn)，可實(shí)現(xiàn) Ra<0.1nm 原子級(jí)平整度，適配硅、SiC、GaN、磷化銦等半導(dǎo)體襯底 / 晶圓的精拋需求。

固含量≥30%，顆粒長(zhǎng)期懸浮無(wú)沉淀，自動(dòng)化產(chǎn)線可連續(xù)數(shù)小時(shí)穩(wěn)定使用，減少設(shè)備停機(jī)與濃度調(diào)整頻次。

二、典型應(yīng)用場(chǎng)景與價(jià)值體現(xiàn)

晶圓制造：硅片 / 碳化硅 / GaN 襯底精拋，去除表面變形層與微缺陷，實(shí)現(xiàn)全局平坦化，支撐先進(jìn)制程良率提升。

先進(jìn)封裝：TSV、Bumping、HBM 等環(huán)節(jié)的介電層 / 金屬層拋光，兼顧高去除率與低損傷，適配國(guó)內(nèi)封測(cè)廠產(chǎn)能擴(kuò)張需求。

化合物半導(dǎo)體：磷化銦芯片拋光，解決硬質(zhì)材料拋光效率低、易損傷的痛點(diǎn)，助力國(guó)產(chǎn)光電子芯片制造。

本土化服務(wù)與供應(yīng)鏈響應(yīng)速度

達(dá)西濃納米科技（常州）有限公司作為國(guó)內(nèi)納米材料領(lǐng)域頭部企業(yè)，可針對(duì)客戶需求定制專屬配方（如調(diào)整粒徑、固含量等），并提供快速的技術(shù)支持與服務(wù)。

對(duì)比優(yōu)勢(shì)：相比國(guó)外品牌，AL30在交貨周期、定制化能力及成本管控上更具靈活性，尤其適合國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的快速迭代需求。